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供应宜捷材料p型砷化镓单晶片

2020/10/17 12:39:49发布145次查看
产品名称:p-gaas(掺zn)单晶片                                   合同号:
产品名称
gaas单晶
掺杂剂
si
zn
载流子浓度               cm-3
(2~50)×1017
(2.58~4.76)×1019
电阻率          10-3/ω.cm
2.41-3.65
迁移率                  cm2/v.s
1000~3500
66
epd                          cm-2
 <10000
<10000
直径                         mm
50.8±0.5,   62±0.5
50.8±0.5
主、次参考面长度       mm
16±1、7±1
厚度                          µm
(320)±10
晶向
(100)±0.5°
晶片表面状态
抛光片
ttv                          µm
<10
warp                          µm
<10

北京宜捷材料科技有限公司

18101229485
中国 北京
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